伴随着中国半导体行业的飞速发展，产业规模不断ꩲ扩大，技术水平不断提升，在整个产业链中，半导体芯片失效分析也面临着新的挑战。
尤其，在先进封装应用中，复杂的互连方案和性能更高的功率器件的迅速增长，带来🌸了前所未有的失效定位ꦑ和分析挑战。
因而，在失效分析领域，电性失效定位一直扮演着行业“医生”这样重要的角色。
赛默飞世尔科技作为科学服务领域的世界领导者，为解决芯片等失效定位及分析问题，赛默飞开♏发的锁相热成像设备，极大的满足了市场的需求。
锁相热成像的概念、作用
锁相热成像（Lock-in Thermography）
LIT是动态红外热成像的一种形式，与稳态热成像相比，它具有更好的信噪比，更高的灵敏度和更高的空间分辨率。此次网络研讨会将重点讨论锁相热成像（Lock-in Thermography）与🅰传统静态失效定位（光子𒐪辐射EMMI、激光扫描（OBRICH）的原理和区别，以及LIT在芯片封装、第三代半导体等领域的应用优势。
LIT可用于IC分析♔中，定位线路短路，ESD缺陷，氧化层损ꦛ坏，晶体管缺陷以及器件闩锁等失效。LIT在自然环境中进行，不需要遮光箱。
锁相热辐射失效定位通过对失效回路电性进行频率调制，结合高灵敏度InSb红外相机，从而实现快速准确地对失效点进行定位，提高后续的物性分析成功🦋率以及为工艺问题澄清奠定了基础。该技术广泛应用于芯片生产、封装测试、PCBA等上下游产品的电性失效分析，可应用失效类型通常包括线路短路、器件漏电、ESD损伤、电阻性开路等。
赛默飞ELITE System锁相红外热成像系统，通过增♏强型锁相热成像技术准确定位到各种不同的缺陷位置，如：
? 晶圆缺陷
? 封装缺陷
? PCB电路板缺陷
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