国内IDM一哥华润微（688396.SH）披露了超预期的年报。具体是：营收92.49亿，同比增长32.6%，略高于92.28亿的预期值（2月份披露的21年度业绩快报，以下同）；归母净利润22.68亿，略高于预期的22.11亿；扣非净利润20.99亿。归母净利润与扣非净利润较去年同期均实现翻倍增长。此外公🌃司盈利能力也大幅改善，21年毛利率、净利率、R💮OE分别为35.3%、24.5%和15.5%，均为笔者统计的2016年以来新高。同期发布的22年一季报，公司营收、归母净利润、扣非净利润分别为25.14亿、6.19亿、6亿，分别同比增长22.9%、54.9%和62%，虽然增速放缓，但也仍处于历史较好水平。
资料来源：华润微年报/招股书整理，阿尔法经济研究
不过增速放缓意味着增长预期的下降，市场或许为此用脚投票。话说华润微的股价走弱也半年有余了。
华润微业务分为产品与方案业务板块和制造与服务业务板块两大部分，前者由功率器件事业群和集成电路事🏅业群构成，主要对外销售自家产品；后者则为客💖户提供代工和封测服务。21年产品与方案业务和制造与服务业务的营收分别为43.57亿和48.01亿，营收占比上制造与服务业务要高一点，仍然超过50%。
资料来源：华润微年报/招股书整理，阿尔法经济研究
产品与方案业务板块亮点：三代化合物半导体器件进展显著
上市以后华润微的产品营收就包装进产品与方案业务💎，以此为🧸口径披露了，公开途径想获得细分产品经营数据就比较困难。在21年报中华润微提到：功率器件事业群销售收入同比增长35%，毛利率提升12个百分点，净利润增长约150%。
后面公司也提到了MOSFET、IGBT等的收入增长及产品、技术研发进度等等，这些数字看看就好，但一些信息还是要高度重视的。比如公司提到，功率器件事业群加快6吋IGBT产品升级以及8吋IGBT技术平台开发和产品系列化研发，充分发挥公司自有IGBT工艺技术和产能资源优势，加大IGBT模块研发力度，积极拓展UPS、太阳能逆变器、变频器等✨工控领域、光伏领域和汽车电子领域等中高端市场的头部客户。总之一句话，斯达半导、中车时代等IGBT企业大举拓展汽车、工控等领域，作为老牌IDM+功率半导体双料老牌企业，华润微也没闲着。
在火热的第三代半导体上，华润微21年的进展相当亮眼，或许22年我们就能看到这些业务和产品的经营效益𒈔了，假设华润微愿意披露的话。
比如公司提到，其自主开发的新一代SiC JBS器件综合性能达到业界先进水平，在充电桩、太阳能逆变器等工控领域获得客户广泛认可。当然笔者认为公司21年最大进展是在SiC MOSFET上，公司提到其自主研发的平面型1200V SiC MOSFET进入风险量产阶段，静态技术参数达到国外对标样品水平。不知道公司对标的是哪家的产品，Wolfspeed、英飞凌还是罗姆？
另外在GaN上，华润微自主研发的第💎一代650V 硅基GaN D-mode器件样品静态参数达到国外对标水平，性能与对标样品相当，完成三批量1000小时可靠性考核，进入转量产阶段；自主研发的第一代650V硅基GaN E-mode器件性能达标，器件封装开发完成。
GaN E-mode和D-mode是GaN功率器件两种常见技术路线。D-mode是耗尽型，是在硅基衬底上生长出一层高阻性的GaN晶体层作为通道层，在GaN通道层与硅衬底之间添♋加AlN作为缓冲层，将器件与衬底隔离。AlGaN层在GaN层和栅极、源漏极之间，AlGaN/GaN这种异质结可以通过自发极化和压电极化效应在其界面ꦿ上形成高浓度的2DEG（二维电子气），2DEG具有很高的电子迁移率和低电阻特性，且可随着AlGaN的厚度现行增加。不过因为AlGaN/GaN之间高浓度的2DEG的存在，在栅极电压为零下器件即可导通，因此往往需要负压关断，而且易发生误导通，电路稳定性和安全性较差。
资料来源：公开资料整理，阿尔法经济研究
相比D-mode，E-mode即增强型，是一种单芯片常关器件，外观上与增ꦦ强型硅基MOSFET类似，需要加正偏压才🗹可导通，不仅电路复杂度较低，稳定性和安全性也较好。E-mode是在D-mode基础上改进而来，在技术发展过程中还衍生出P型栅、凹槽栅和Cascode结构等。
资料来源：公开资料整理，阿尔法经济研究
这儿简单说下，P型栅、凹槽栅与普通的GaܫN FET最主要的差别是通过在AlGaN势垒层上生长一个带正电的P型GaN栅极（P型栅）或通过刻蚀工艺将栅极下方一定厚度的AlGaN势垒层刻蚀掉（凹槽栅），达到将2DEG耗尽或浓度降低的目的，这样就实现了器件的通断控制。
当然具体细节就不展开了。
在GaN功率器件上，Transphrom等企业均推出了成熟的产品，相比之下华润微仍处ꦕ于风险量产和研发阶段，进度也是相对滞后的。
华润微平面型SiC MOSFET背后，罗姆已经玩转沟槽好多年了
华润微SiC MOSFET相比英飞凌、罗姆等也是严重滞后的。以罗姆为例，其在2009年收购衬底供应商SiCrystal后就于2010年推出商用化SiC MOSFET，2015年发布的第三代SiC MOSFET则是第一款商用沟槽结构，2020年则推出了第四代S꧒iC MOSFET。以推出平面型SiC MOSFET的时间来看，华润微与罗姆的差距起码在7年以上。
资料来源：罗姆三代半导体发展历程，公开资料整理，阿尔法经济研究
华润微的SiC MOSFET在结构上还是平面型的，与罗姆的二代类似。罗姆从三代开始就挖槽了，四代SiC MOS𓂃FET则是基于自家双沟槽结构改进的。
资料来源：罗姆二代/三代 SiC MOSFET结构，罗姆官网，阿尔法经济研究
三代一个槽，四代两个槽，两个槽带来的好处是成功的在不牺牲主驱逆变器等要求的短路耐受时间前提下，使导通电阻比三代产品降低了40%，开关损耗比三代产品降低了50%。
资料来源：罗姆三/四代 SiC MOSFET关键参数对比，罗姆官网，阿尔法经济研究
此外根据国际标准WLTC燃料消耗量测试计算，相比IGBT，罗姆四代SiC MOSFET在市区模式下可将电耗降低10%，郊区和高速模式也也能分别降低5%和3%，综合下来可降低电耗6%。SiC MOSFET的这种特性对电动车无疑是很有吸引力的，有人经过测算，在同样续航里程下，采用SiC MOSFET的汽车电池成本可节省约675美元，约合4265元人民币。当然🧸目前的问题是SiC MOSFET成本依然༺偏高。
资料来源：罗姆四代 SiC MOSFET与IGBT电耗对比，罗姆官网，阿尔法经济研究
三代功率半导体上，英诺赛科等几个新锐进展不错，老牌企业中华润微好歹有了一定进展，扬杰科技等好几个玩三代的雷声大也就罢了，现在连雨滴也看不到。国内外的差距还是很明显的。.
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